英諾賽科（Innoscience）創立于2015年12月17日，旨在打造全球最大的采用全產業鏈模式，集設計、研發、生產和銷售為一體氮化鎵（GaN ）的生產基地。英諾賽科是一家致力于第三代半導體硅基氮化鎵外延及器件研發與制造的高新技術企業，采用IDM（Integrated Device Manufacture）全產業鏈模式，建立了全球首條產能最大的8英寸 GaN-on-Si 晶圓量產線。 公司核心技術團隊由眾多資深的國際一流半導體專家組成，我們相信GaN可以改變世界，我們的目標是以更低的價格，向客戶提供品質一流、可靠性優異的GaN器件，并且實現GaN技術在市場的廣泛應用。